美国普渡大学正在研究一种可降低磁性存储设备能耗并提高存储速度的技术方法。该技术结合了自旋电子和光子材料，利用超短激光脉冲产生强磁场来操纵磁性材料的自旋方向。
研究人员开发了一种新的磁光子学技术，利用光来控制磁化过程，使其应用于各种各样的应用中，从而制造出超快的可切换设备。在高密度存储模块中实现芯片上纳米磁体全光开关。
该新兴技术涉及到集体电子波（或等离激元），当光照射到纳米材料（如可维持电子波的金属）时触发。等离激元在经过慎重选择的光学和磁性材料界面上产生强烈的超短磁场。通过改变入射光的性质，产生的磁场方向是反向的，这使得操纵磁性材料中的磁性方向成为可能，这是磁信息存储的关键要求。
研究人员利用光学和表面等离子体共振等研究方法，将光与纳米磁体偶联，使自旋电子器件的切换速度更快，能源消耗更低。光可实现磁化方向的转换，这是磁存储设备中数字编码信息的关键原理。继续开发与磁体相互作用的材料，该技术方法最终会使内存写入速度比目前的方法快1000倍。
中科院武汉文献情报中心供稿
