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渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

指数律衰减电流极化电位响应的解析及其在测定金属的瞬时腐蚀速度方面的应用

黄彦 , 曹楚南 , 吕明 , 林海潮

腐蚀科学与防护技术

指数律衰减电流极化电位响应的解析及其在测定金属的瞬时腐蚀速度方面的应用黄彦,曹楚南,吕明,林海潮(中国科学院金属腐蚀与防护研究所腐蚀科学开放研究实验室、沈阳110015)发表于《腐蚀科学与防护技术》,1992;4:264.获中国腐蚀与防护学会第三届全国青年腐蚀科技论文讲评会优秀奖黄彦,1996年3月生于辽宁省法库县,1983年考入西安交通大学材料科学与工程系金属材料及热处理专业学习.1990年6月获该校硕士学位,同年考入中国科学....

关键词:

黏度法研究稀溶液中高分子链尺寸的浓度依赖性

陈孝松 , 杨海洋 , 张玲 , 朱平平 , 何平笙

高分子材料科学与工程

测定了不同浓度聚幕乙烯(PS)θ溶液的黏度,确定了高分子之间的流体力学相互作用参数,由此确定了溶剂中高分子链尺寸的浓度依赖性,结果表明,在溶剂中随着浓度的增加,高分子链的尺寸有所收缩,但是变化的程度比较小.与wolf的理论结果以及笔者以前对此所做的理论分析并不一致,文中对出现差异的原因进行了深入的探讨.

关键词: 聚苯乙烯 , 特性黏数 , 高分子链尺寸 , θ溶剂 , 流体力学相互作用

纳米银粒子/有机溶剂的界面作用、分散性及光学性能

曾戎 , 容敏智 , 章明秋 , 梁海春 , 曾汉民

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.05.005

用微乳液法制备了不同粒径的表面改性的纳米银粒子,并用ESR、TEM和紫外/可见吸收光谱研究了改性纳米银粒子/有机溶剂体系的界面作用、分散性和光学性能.结果表明:改性的纳米银粒子有一系列表面顺磁局域态,其ESR谱参数与粒径的关系不符合Kawabata理论预测;氯仿与粒子有强烈的相互作用,粒子越小作用越强,且越易分散;氯仿作为粒子的分散剂和高分子的溶剂,可用于溶液共混工艺制备纳米银/高聚物复合材料.

关键词: 纳米银粒子 , 有机溶剂 , 界面作用 , 分散性

飞行器表面电磁缺陷及雷达吸波材料应用

桑建华 , 周海

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2003.02.011

从飞行器表面电磁特性和电磁缺陷分析入手,就如何使用雷达吸波材料进行了探讨,提出了采用雷达吸波材料或特种导电材料,针对电磁缺陷进行修复的雷达吸波材料应用思路.该方法可减少雷达吸波材料的使用量,从而减轻飞行器重量,提高其性能,降低成本,改善维修性.并进行了试验验证.

关键词: 飞行器 , 电磁特性 , 雷达截面 , 雷达吸波材料

CH4/空气混合物中含N、S组分对生成污染物的影响

董刚 , 陈义 , 骆晓东 , 张全

工程热物理学报

本文采用详细的CH4/空气反应机理,在搅拌反应器的条件下,计算了初始含NH3、HCN和H2S对污染物NO和SOx(SO、SO2)生成规律的影响.结果表明,初始含N、S的组分可使NO和SOx的排放量明显增加.同时还利用敏感性分析对污染物形成的重要反应进行讨论.

关键词: 污染物生成 , 反应机理 , 敏感性分析

有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响

李田生 , 谢振宇 , 李婧 , 阎长江 , 徐少颖 , 陈旭 , 闵泰烨

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132805.0720

TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的过孔发黑(黑点)问题尤为突出,严重影响了产品的率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题,而是有源层刻蚀工艺所导致的,并有针对性地进行了试验设计,分别考察了有源层刻蚀条件、附加一步刻蚀方式对黑点不良的解决效果,根据实验效果附加一步刻蚀方式完美地解决了黑点不良问题,从而将产品的率提升了3%~4%,而电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、迁移率)和正常条件相比没有异常,从而获得了最终完美的解决该不良的方案,提高了产品品质.

关键词: 有源层 , 刻蚀 , 黑点

TFT-LCD残影不良的研究与改善

范恒亮 , 汤展峰 , 刘利萍 , 李静 , 黄静 , 刘岩龙

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163103.0270

影像残留是TFT-LCD,特别是TN型产品常见的不良,对产品率影响很大.本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残影进行分析.发现产品设计时Data线两侧段差过大,是导致残影发生的主要原因,通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残影,实验得出配向膜膜厚高于110 nm,摩擦强度高于5.5N,m时无残影发生.通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5h,摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10 h,并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场,从而降低残影.通过以上措施,对于15.6HD产品,率提升了10%,为企业高效生产奠定基础.

关键词: 残影 , 扭曲向列型 , 配向弱区 , 内部电场

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