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2011年度利基金获奖科学家年轻化突出

中国材料进展

2011年8日下午,利基金2011年度颁奖大会在京举行。我国高性能计算机领域杰出科学家、国防科技大学杨学军教授荣获“科学与技术成就奖”,丁伟岳等35人获“科学与技术进步奖”,吴朝晖等15人获“科学与技术创新奖”。中共中央政治局委员、国务委员刘延东向大会发来贺信,全国人大常委会副委员长桑国卫、全国政协副主席万钢出席会议并为获奖代表颁奖。利基金评选委员会主任朱丽兰向大会作工作报告。

关键词: 科学家 , 基金 , 中共中央政治局 , 全国人大常委会 , 突出 , 国防科技大学 , 计算机领域 , 科学与技术

Au与p-CZT接触的界面势研究

李强 , 介万奇 , 傅莉 , 查钢强

功能材料

用同步光电子能谱研究了NH4F/H2O2钝化p-CZT表面效应, 钝化处理晶体表面后,表面态能峰消失.用未钝化和钝化两种工艺方法来对比p-CZT晶体表面的钝化效果.同时用同步光电子能谱研究了Au与p-CZT接触的界面势.其中界面势可以由价带区域的新能级EV-C 和新能级与Fermi能级的差决定.未钝化和钝化的Au/p-CZT的界面势分别为(0.88±0.1)eV和(1.17±0.1)eV.

关键词: 同步光电子能谱 , 界面势 , 钝化

掺杂铌对钛酸锶双晶界面势的抑制作用

王岩国 , 张泽

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2002.01.008

用电子全息技术测量了掺铌∑13[001]钛酸锶倾转双晶界面的电势场分布.结果显示掺杂前界面处的Schottky势已消失.表明铌原子占据了界面处氧离子空位,消除了电荷聚集在界面处的分布状态.有选择性地掺杂金属元素可以补偿晶界面固有的内禀缺陷,达到调制导电陶瓷材料电学性能的目的.

关键词: 界面 , 电子全息 , 势场 , 钛酸锶 , 金属掺杂

激光退火实现非晶Si晶化的成核势研究

邓泽超 , 褚立志 , 丁学成 , 梁伟华 , 傅广生 , 王英龙

人工晶体学报

采用脉冲激光烧蚀技术,在真空条件下沉积了一系列非晶Si薄膜,并对薄膜样品进行不同能量密度的激光退火处理.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Raman散射仪(Raman)等手段对退火后的薄膜进行形貌、晶态成分表征,确定了非晶Si薄膜晶化的激光能量密度阈值(85 mJ/cm2).结合激光晶化机理进行定量计算.结果显示:形成一个18 nm的Si晶粒所需要的能量,即成核势大小约为1.4×10-9 mJ.

关键词: 脉冲激光烧蚀 , 激光退火 , 成核势

晶界势和缺陷对PTC效应影响的研究

程绪信 , 肖海霞 , 赵肇雄 , 崔海宁

硅酸盐通报

为了适应市场对低压集成电路过流保护作用的PTC热敏陶瓷的低阻化要求,采用还原-再氧化的烧结工艺来制备多层片式PTC热敏陶瓷.本文主要研究了(Ba1.022-xSmx)TiO3基陶瓷在还原气氛中1200℃烧结30 min并在800℃再氧化热处理后其室温电阻率随施主掺杂浓度的变化关系,以及冷却速率对该样品PyTC效应的影响.从氧化物半导体理论出发,阐述了在还原再氧化过程中该陶瓷的缺陷模型和晶界特性,讨论了施主掺杂BaTiO3基PTC陶瓷缺陷行为与晶界势及其导电机理,解释了冷却速率和再氧化时间对样品的电性能以及PTC效应的影响.

关键词: BaTiO3陶瓷 , PTC效应 , 热敏陶瓷 , 晶界势 , 缺陷

绝缘层方势影响下N-I-d波超导体结的隧道谱

魏健文

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.007

以方势描述N-I-d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N-I-d波超导体结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度在不同纳米量级下的隧道谱形状各异,即便其厚度处在同一纳米量级上,彼此间仅相差零点几个纳米,电会导致微分电导随偏压的变化关系迥异,这为解释高Tc氧化物超导体的相关实验现象提供了更多的可能性;(2)粒子的入射角和绝缘层的势值对零偏压电导峰有显著影响.

关键词: 方势 , 绝缘层厚度 , N-I-d波超导体结 , 隧道谱

高温Ti/4H-SiC肖特基势二极管的特性

张义门 , 常远程 , 张玉明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.012

在研究高温下串联电阻Ron对肖特基势二极管正向特性的影响,以及各种反向电流密度分量对其反向特性的影响基础上,测量并理论计算了300-528K范围内Ti/4H-SiC肖特基势二极管的伏安特性.分别得到了理想因子、肖特基势垒高度和串联电阻在395K和528K温度下的数值.理论和实验的比较说明,高温下,热电子发射是正向电流的主要输运机理,反向电流除了以隧道效应为主外,热电子发射电流和耗尽层中复合中心产生电流都随温度的升高而大大增加,必须加以考虑.

关键词: 碳化硅 , 肖特基势二极管 , 高温

绝缘层方势影响下N/I/自旋三重态p波超导体结的隧道谱

吉跃仁

低温物理学报

以方势描述正常金属/绝缘层/自旋三重态p波超导结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了p波超导结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度的增加,可导致自旋三重态p波超导结隧道谱中出现亚能隙共振峰,粗糙界面散射和杂质散射均对亚能隙共振产生影响;(2)对于px波结,粗糙界面散射和杂质散射均能使零偏电导峰变成凹陷,杂质散射能引起零偏电导峰的劈裂;(3)对于px波结,绝缘层厚度和杂质散射的变化均能在能隙内产生阶梯状的谱形,粗糙界面散射和杂质散射均能使谱线中的零偏电导凹陷上升为峰;(4)对于px+ipy波结,绝缘层厚度和粗糙界面散射均可导致双凹陷结构的消失和的能隙峰的出现,它们的变化对零偏压处是峰还是凹陷产生直接影响;杂质散射能使零偏电导峰出现劈裂,并使零能凹陷和能隙处的双凹陷加深.

关键词: 方势 , N/I/p波超导结 , 隧道谱

锻比锻造新工艺

刘国晖

钢铁

阐明了锻比锻造的概念,首次提出平面变形化的原理及纵向锥面砧可实现锻比锻造.应用纵向锥面砧还可实现无横向拉应力锻造,提高轴类锻件的横向力学性能.锻比锻造新工艺具有广阔的应用前景.

关键词: 平面变形化 , 纵向锥面砧 , 无横向拉应力 , 横向力学性能

冲孔蠕变试验技术

陈玉新 , 凌祥 , 涂善东

物理测试 doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2004.04.007

冲孔蠕变试验技术是获取在役构件蠕变性能的一种新方法,由于它具有接近无损取样的特点,因此受到学术界和工业界的广泛重视.本文简要回顾了冲孔蠕变试验技术的发展及应用,重点介绍了典型冲孔蠕变试验装置的组成及结构,指出了冲孔蠕变试验技术目前存在的问题和广阔的应用前景.

关键词: 冲孔试验技术 , 蠕变

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