㒄
㐴
材料热处理学报, 2017, 38(3): 167-171.
退火温度对真空热蒸发CdTe薄膜特性的影响

刘绰 1, , 张雷 2, , 马蕾 3, , 彭英才 4,

1.河北大学电子信息工程学院,河北保定,071002;
2.河北大学电子信息工程学院,河北保定071002;河北大学河北省数字医疗工程重点实验室,河北保定071002;
3.河北大学电子信息工程学院,河北保定071002;河北大学河北省数字医疗工程重点实验室,河北保定071002;
4.河北大学电子信息工程学院,河北保定,071002
采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250～400℃条件下进行后退火处理.利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的结构、光学和电学特性.结果表明,所制备的薄膜为立方闪锌矿结构,择优取向为< 111>晶向,提高退火温度可以促进薄膜结晶;光学测量结果证实,随退火温度升高,薄膜样品的光学带隙由1.527 eV减小到1.496 eV;电流-电压测试表明,薄膜电导率随退火温度的增加,由0.97 μS/cm增大至87.3 μS/cm.
引用： 刘绰, 张雷, 马蕾, 彭英才 退火温度对真空热蒸发CdTe薄膜特性的影响. 材料热处理学报, 2017, 38(3): 167-171. doi: 
参考文献：

相似文献: