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人工晶体学报, 2017, 46(2): 193-196.
导模法生长高质量氧化镓单晶的研究

贾志泰 1, , 穆文祥 2, , 尹延如 3, , 张健 4, , 陶绪堂 5,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州510275;
2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;
3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;
4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;
5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
使用导模法生长了宽度25 mm,长度100 mm的氧化镓(β-Ga2O3)单晶.晶体外观完整、无色、无开裂,粉末XRD测试证明所获得的晶体为β相,晶体摇摆曲线半峰宽为93.6",峰形对称,说明晶体质量良好.测试了未掺杂晶体的紫外透过光谱,并推算了晶体的禁带宽度为4.77 eV.此外,还重点讨论了晶体放肩时的工艺参数对晶体质量的影响.
引用： 贾志泰, 穆文祥, 尹延如, 张健, 陶绪堂 导模法生长高质量氧化镓单晶的研究. 人工晶体学报, 2017, 46(2): 193-196. doi: 
参考文献：

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