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人工晶体学报, 2017, 46(3): 393-397.
ZnGeAs2多晶合成与表征

钟义凯 1, , 赵北君 2, , 何知宇 3, , 黄巍 4, , 陈宝军 5, , 朱世富 6, , 杨登辉 7, , 冯波 8,

1.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;
2.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;
3.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;
4.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;
5.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;
6.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;
7.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;
8.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064
ZnGeAs2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景.本文探讨了ZnGeAs2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs2多晶合成方法.以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs2多晶.经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比.上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础.
引用： 钟义凯, 赵北君, 何知宇, 黄巍, 陈宝军, 朱世富, 杨登辉, 冯波 ZnGeAs2多晶合成与表征. 人工晶体学报, 2017, 46(3): 393-397. doi: 
参考文献：

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