人工晶体学报, 2017, 46(3): 486-489.
铜蒸发温度对共蒸发法制备Cu2ZnSnSe4太阳电池的影响

孙顶 1, , 李玉丽 2, , 贾雪 3, , 姚小春 4, , 迟耀丹 5, , 张力 6,

1.吉林建筑大学电气与计算机学院,长春 130118;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071;吉林省智能建筑系统集成与节能控制实验室,长春 130118;
2.吉林建筑大学电气与计算机学院,长春 130118;吉林省智能建筑系统集成与节能控制实验室,长春 130118;
3.吉林建筑大学电气与计算机学院,长春 130118;吉林省智能建筑系统集成与节能控制实验室,长春 130118;
4.吉林建筑大学电气与计算机学院,长春 130118;吉林省智能建筑系统集成与节能控制实验室,长春 130118;
5.吉林建筑大学电气与计算机学院,长春 130118;吉林省智能建筑系统集成与节能控制实验室,长春 130118;
6.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071

由于Cu元素的含量对Cu2ZnSnSe4(CZTSe)化合物的薄膜性质及电池性能都有影响,本文主要研究了不同铜蒸发温度对CZTSe薄膜性质及电池性能的影响.研究表明:当铜蒸发温度较低时(1400 ℃),CZTSe薄膜中含有SnSe相,同时薄膜呈N型;随着铜蒸发温度的提高,CZTSe薄膜的结晶质量明显提升.但当铜蒸发温度过高时(1500 ℃),薄膜中含有CuxSey相.二次相SnSe与CuxSey的存在都会使电池失效.最终通过优化铜的蒸发温度,在较合适的1450 ℃ 铜蒸发温度条件下制备出效率为2.63%(有效面积0.34 cm2)的CZTSe太阳电池.
关键词: 太阳电池   铜锌锡硒   共蒸发  
引用: 孙顶, 李玉丽, 贾雪, 姚小春, 迟耀丹, 张力 铜蒸发温度对共蒸发法制备Cu2ZnSnSe4太阳电池的影响. 人工晶体学报, 2017, 46(3): 486-489. doi: 
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