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人工晶体学报, 2017, 46(4): 578-583.
沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu2ZnSnSe4薄膜电池的影响

刘晓茹 1, , 李建军 2, , 刘玮 3, , 刘芳芳 4, , 敖建平 5, , 孙云 6, , 周志强 7, , 张毅 8,

1.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;
2.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;
3.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;
4.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;
5.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;
6.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;
7.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;
8.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071
无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响.通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态.通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%).通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒.将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%.
引用： 刘晓茹, 李建军, 刘玮, 刘芳芳, 敖建平, 孙云, 周志强, 张毅 沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu2ZnSnSe4薄膜电池的影响. 人工晶体学报, 2017, 46(4): 578-583. doi: 
参考文献：

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