人工晶体学报, 2017, 46(4): 594-598.
基于原子层沉积的氧化锆薄膜工艺优化研究

张禹 1, , 韦习成 2, , 张浩 3,

1.上海大学材料科学与工程学院,上海 200072;福建江夏学院电子信息科学学院,福州 350108;有机光电子福建省高校工程研究中心,福州 350108;
2.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072;
3.福建江夏学院电子信息科学学院,福州 350108;有机光电子福建省高校工程研究中心,福州 350108

利用原子层沉积技术(Atomic layer deposition, ALD)进行ZrO2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO2薄膜ALD的最佳工艺条件.分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜性能的影响.以四(二甲基氨)基锆(TDMAZ)和H2O为前驱体,制备了均匀性良好,表面粗糙度低,可见光透过率高,水汽阻挡效果良好的ZrO2薄膜.
引用: 张禹, 韦习成, 张浩 基于原子层沉积的氧化锆薄膜工艺优化研究. 人工晶体学报, 2017, 46(4): 594-598. doi: 
参考文献:

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