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人工晶体学报, 2017, 46(4): 651-661.
O2/(O2+Ar)流量比对ZnO-0.25mol% V2O5薄膜缺陷类型的影响

张俊峰 1, , 吴隽 2, , 龙晓阳 3, , 祝柏林 4, , 李涛涛 5, , 姚亚刚 6,

1.武汉科技大学材料与冶金学院,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081;
2.武汉科技大学材料与冶金学院,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081;
3.武汉科技大学材料与冶金学院,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081;
4.武汉科技大学材料与冶金学院,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081;
5.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所先进材料研究部,苏州,215123;
6.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所先进材料研究部,苏州,215123
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol% V2O5(ZnO∶V)薄膜,研究了O2/(O2+Ar)流量比(0%~87.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响.研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中.ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(VO)和间隙锌(Zni)杂化形成的复合体,两者比例随O2/(O2+Ar)流量比而变化.
引用： 张俊峰, 吴隽, 龙晓阳, 祝柏林, 李涛涛, 姚亚刚 O2/(O2+Ar)流量比对ZnO-0.25mol% V2O5薄膜缺陷类型的影响. 人工晶体学报, 2017, 46(4): 651-661. doi: 
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