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人工晶体学报, 2017, 46(5): 759-765.
影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究

郭钰 1, , 彭同华 2, , 刘春俊 3, , 袁文霞 4, , 蔡振立 5, , 张贺 6, , 王波 7,

1.北京天科合达半导体股份有限公司,北京 102600;新疆天富能源股份有限公司,石河子 832000;
2.北京天科合达半导体股份有限公司,北京 102600;新疆天富能源股份有限公司,石河子 832000;新疆天科合达蓝光半导体有限公司,石河子 832000;
3.北京天科合达半导体股份有限公司,北京,102600;
4.北京科技大学,北京,100083;
5.北京天科合达半导体股份有限公司,北京,102600;
6.北京天科合达半导体股份有限公司,北京,102600;
7.新疆天科合达蓝光半导体有限公司,石河子,832000
选用二氧化硅抛光液抛光4H导电SiC晶片表面,探究影响SiC晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量.实验结果表明,SiC表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果.保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,SiC表面去除速率先增加后保持不变.在更大的压力下增加氢氧根离子的含量,SiC表面的抛光去除速率进一步增加.通过优化的抛光参数,SiC表面的抛光去除速率达到142 nm/h.进一步研究结果表明,保持化学机械抛光过程中氧化作用与机械作用相匹配,是获得高抛光效率和良好的表面质量的关键.表面缺陷检测仪(Candela)和原子力显微镜(AFM)的测试结果表明,SiC抛光片表面无划痕,粗糙度达到0.06 nm.外延后总缺陷密度小于1个/cm2,粗糙度达到0.16 nm.
引用： 郭钰, 彭同华, 刘春俊, 袁文霞, 蔡振立, 张贺, 王波 影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究. 人工晶体学报, 2017, 46(5): 759-765. doi: 
参考文献：

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