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材料科学与工艺, 2017, 25(3): 1-12.
10.11951/j.issn.1005-0299.20170084
石墨烯基二维垂直异质结的制备及光电子器件

戴明金 1, , 高峰 2, , 杨慧慧 3, , 胡云霞 4, , 胡平安 5,

1.微系统与微结构制造教育部重点实验室(哈尔滨工业大学) ,哈尔滨150080;哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,哈尔滨150080;
2.微系统与微结构制造教育部重点实验室(哈尔滨工业大学) ,哈尔滨150080;哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,哈尔滨150080;
3.微系统与微结构制造教育部重点实验室(哈尔滨工业大学) ,哈尔滨150080;哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,哈尔滨150080;
4.微系统与微结构制造教育部重点实验室(哈尔滨工业大学) ,哈尔滨150080;哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,哈尔滨150080;
5.微系统与微结构制造教育部重点实验室(哈尔滨工业大学) ,哈尔滨,150080
石墨烯和类石墨烯二维半导体材料因其独特的物理化学性质受到研究人员的广泛关注,将二者结合组成的石墨烯基二维垂直异质结近年来备受研究者的青睐.本文简要介绍了石墨烯基二维垂直异质结的基本概念和性质,综述了石墨烯基二维垂直异质结制备技术的最新进展情况,对比分析了不同制备方法各自的优缺点,总结了石墨烯基二维垂直异质结在光电子学器件应用的最新进展.最后对石墨烯基二维垂直异质结的研究和发展方向做了展望.
关键词： 石墨烯   二维材料   异质结   光电子
引用： 戴明金, 高峰, 杨慧慧, 胡云霞, 胡平安 石墨烯基二维垂直异质结的制备及光电子器件. 材料科学与工艺, 2017, 25(3): 1-12. doi: 10.11951/j.issn.1005-0299.20170084
参考文献：

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