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无机材料学报, 2017, 32(6): 621-624.
10.15541/jim20160446
In:Ga2O3氧化物半导体晶体的生长与性能研究

唐慧丽 1, , 吴庆辉 2, , 罗平 3, , 王庆国 4, , 徐军 5,

1.同济大学物理科学与工程学院,上海 200092;上海蓝宝石晶体工程技术研究中心(筹),上海 201800;
2.上海蓝宝石晶体工程技术研究中心(筹),上海 201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 201800;
3.同济大学物理科学与工程学院,上海 200092;上海蓝宝石晶体工程技术研究中心(筹),上海 201800;
4.同济大学物理科学与工程学院,上海 200092;上海蓝宝石晶体工程技术研究中心(筹),上海 201800;
5.同济大学物理科学与工程学院,上海 200092;上海蓝宝石晶体工程技术研究中心(筹),上海 201800
β-Ga2O3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差.为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径.采用光学浮区法生长出φ8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga2O3晶体,晶体具有较高的结晶完整性.In3+离子掺杂后,β-Ga2O3晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小.室温下,In:Ga2O3晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10-4 S/cm和1.005×1016 cm-3,其值高于β-Ga2O3晶体约1个数量级.In:Ga2O3晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低.结果表明,In3+离子掺杂能够调控β-Ga2O3晶体的导电性能.
关键词： In:Ga2O3晶体   浮区法   电导率
引用： 唐慧丽, 吴庆辉, 罗平, 王庆国, 徐军 In:Ga2O3氧化物半导体晶体的生长与性能研究. 无机材料学报, 2017, 32(6): 621-624. doi: 10.15541/jim20160446
参考文献：

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