液晶与显示 , 2017, 32(6): 433-437.
10.3788/YJYXS20173206.0433
TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究

张家祥 1, , 王彦强 2, , 卢凯 3, , 张文余 4, , 王凤涛 5, , 冀新友 6, , 王亮 7, , 张洁 8, , 王琪 9, , 刘琨 10, , 李良杰 11, , 李京鹏 12,

1.北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;
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本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,Ioff偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使Ion和Ioff同时降低;PVX沉积前处理气体N2+NH3与H2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件.
关键词: 沟道界面   漏电流   Al电极   TFT特性
引用: 张家祥, 王彦强, 卢凯, 张文余, 王凤涛, 冀新友, 王亮, 张洁, 王琪, 刘琨, 李良杰, 李京鹏 TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究. 液晶与显示 , 2017, 32(6): 433-437. doi: 10.3788/YJYXS20173206.0433
参考文献:

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