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功能材料, 2017, 48(2): 2153-2157.
10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.028
预氧化聚碳硅烷先驱体转化法制备SiC陶瓷介电和吸波性能研究

史毅敏 1, , 罗发 2, , 丁冬海 3, , 周万城 4, , 朱冬梅 5,

1.西北工业大学 凝固技术国家重点实验室, 西安 710072;西安建筑科技大学 理学院, 西安 710055;
2.西北工业大学 凝固技术国家重点实验室,西安,710072;
3.西安建筑科技大学 材料与矿资学院,西安,710055;
4.西北工业大学 凝固技术国家重点实验室,西安,710072;
5.西北工业大学 凝固技术国家重点实验室,西安,710072
通过聚碳硅烷(PCS)预氧化后在800~1 200 ℃热解制备了SiC陶瓷,采用傅里叶转化红外光谱(FTIR)与拉曼光谱分别对不同温度交联后PCS及裂解产物进行了表征.并用矩形波导法测试了SiC陶瓷在8.2~12.4 GHz(X波段)频段的复介电常数,利用传输线理论计算了试样的反射率.结果表明,氧化交联过程中PCS通过Si-H键和Si-CH3键与氧反应形成Si-OH键.SiC陶瓷中自由碳有序度随着热解温度的升高而增加,导致复介电常数实部及虚部增加.170 ℃交联,1 200 ℃热解,试样厚度为3.5 mm的SiC陶瓷,吸收峰值为-18 dB,X全波段反射率低于-10 dB,呈现出较好的吸波性能.
引用： 史毅敏, 罗发, 丁冬海, 周万城, 朱冬梅 预氧化聚碳硅烷先驱体转化法制备SiC陶瓷介电和吸波性能研究. 功能材料, 2017, 48(2): 2153-2157. doi: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.028
参考文献：

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