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影像科学与光化学 , 2017, 35(2): 168-173.
10.7517/j.issn.1674-0475.2017.02.168
成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究

杨辉 1, , 张志勇 2, , 冯志伟 3, , 熊祝韵 4, , 曾体贤 5,

1.西华师范大学物理与空间科学学院,四川南充,637002;
2.中国科学院国家天文台,北京100012;中国科学院太阳活动重点实验室(国家天文台),北京100012;
3.中国科学院国家天文台,北京,100012;
4.西华师范大学物理与空间科学学院,四川南充,637002;
5.西华师范大学物理与空间科学学院,四川南充637002;中国科学院太阳活动重点实验室(国家天文台),北京100012
本文利用改进的垂直无籽晶气相升华法生长出尺寸达Φ30×40 mm的优质硒化镉(CdSe)单晶体.解理晶体,通过X射线衍射仪测试精确的获得(001)晶面.然后定向切割、研磨、抛光,获得了尺寸为20×20×3 mm3的CdSe中红外波片初胚.以弱碱性溶液与刚玉粉的混合液作为抛光液,利用化学机械抛光法对CdSe中红外波片进行表面抛光处理.结果显示,抛光处理有效的减少了波片表面的损伤层、划痕及结构缺陷,晶片表面的粗糙度降低,在2～20μm波段透过率较高(达到70 ％),满足中红外波片的应用需求.
引用： 杨辉, 张志勇, 冯志伟, 熊祝韵, 曾体贤 成像级CdSe中红外波片的表面处理工艺研究. 影像科学与光化学 , 2017, 35(2): 168-173. doi: 10.7517/j.issn.1674-0475.2017.02.168
参考文献：

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