In0.53Ga0.47As/InP(001)薄膜表面重构的研究

材料导报, 2015, 29(18): 55-64. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.013

In0.53Ga0.47As/InP(001)薄膜表面重构的研究

周海月 ^1, , 赵振 ^2, , 郭祥 ^3, , 魏文喆 ^4, , 王一 ^5, , 黄梦雅 ^6, , 罗子江 ^7, , 丁召 ^8,

1.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025

2.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025

3.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025

4.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025

5.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025

6.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025

7.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025;贵州财经大学教育管理学院,贵阳550004

8.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳,550025

基金项目: 贵州大学研究生创新基金资助项目(研理工2015082) 贵州省教育厅自然科学研究项目(黔教合KY字[2014]265号) 贵州省自然科学基金(黔科合J字[2013]2114号,黔科合J字[2014]2046号)

关键词： STM , In0.53Ga0.47As薄膜 , As4BEP , 表面重构

Study on Surface Reconstructions of In0.53 Ga0.47As/InP (001) Films

Keywords： scanning tunneling microscopy , In0.53Ga0.47As films , arsenic beam equivalent pressure , surface reconstruction

通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53 Ga0.47 As薄膜表面重构进行研究.研究发现在两种As4 BEP条件下,样品表面重构都以(4×3)/(n×3)为主,并存在c(6×4)、β2(2×4)以及α2(2×4)三种重构类型.和低As4 BEP条件相比,高As4 BEP条件下反射式高能电子衍射仪图像更加清晰,高分辨率的STM扫描图片也能够分辨出各种重构类型.对高分辨率的STM扫描图像进行进一步分析得到,随着As4 BEP的升高,β2(2×4)重构类型明显减少,这是由于高As4 BEP减少In偏析,从而抑制β2(2×4)重构的产生.

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