铜片氧化法制备Cu2O层厚度的调控方法

材料导报, 2015, 29(20): 114-117. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.20.024

铜片氧化法制备Cu2O层厚度的调控方法

蒋盼 ^1, , 彭坤 ^2, , 周灵平 ^3, , 朱家俊 ^4, , 李德意 ^5,

1.湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082

2.湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082

3.湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082

4.湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082

5.湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082

基金项目: 国家自然科学基金(51401080)

关键词：直接覆铜法 , 氧化 , 氧化亚铜 , 厚度

Study of Controlling Cu2O Thickness by Oxidation Method

Keywords： direct bond copper , oxidation , Cu2O , thickness

采用氧化法在铜片上生成氧化亚铜,研究氧化工艺对氧化亚铜厚度的影响规律,利用X射线衍射仪和扫描电镜分别对氧化产物和氧化层厚度进行表征.无氧铜片在900～1050℃,氧气体积分数为2％～10％条件下氧化可在表面生成一层纯的Cu2O层;当氧化温度和氧气体积分数分别是1000℃和4％时,生成致密的Cu2O层,且厚度易于控制,氧化层厚度(ζ)与时间(t)的关系满足抛物线关系ζ2=194t-955.

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