利用蒙特卡罗方法和252Cf中子源研究了在准直热中子入射束下,15％～30％(质量分数)碳化硼含量的Al-B4C复合材料的中子吸收系数和宏观截面.结果表明,Al-B4C复合材料的中子吸收系数随碳化硼含量增加而增大,相同碳化硼含量的材料其中子吸收系数随厚度的增加按指数规律变化;252Cf中子源测试得到的中子吸收系数比0.0253 eV单能热中子计算得到的吸收系数低0.5％～4.3％;Al-B4C复合材料的宏观截面随着碳化硼含量的增加呈线性递增的关系,而且理想热中子0.0253 eV下的递增率(0.97925 cm-1/％)大于252Cf中子源构建0～1 eV中子下的递增率(0.58537cm-1/％).
参考文献
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