四元Heusler合金CoFeTiSb的空位和反位缺陷效应

材料导报, 2016, 30(16): 105-114. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.023

四元Heusler合金CoFeTiSb的空位和反位缺陷效应

周庭艳 ^1, , 黄海深 ^2, , 吴波 ^3, , 杨秀德 ^4, , 李平 ^5, , 冯雨 ^6,

1.遵义师范学院物理与机电工程学院,遵义,563002

2.遵义师范学院物理与机电工程学院,遵义,563002

3.遵义师范学院物理与机电工程学院,遵义563002;西北工业大学航海学院,西安710072

4.遵义师范学院物理与机电工程学院,遵义,563002

5.遵义师范学院物理与机电工程学院,遵义,563002

6.西南大学物理科学与技术学院,重庆,400715

基金项目: 贵州省重点学科-物理学(黔学位办[2013]18号) 国家自然科学基金(11304410) 贵州省科技厅项目(黔科合J字[2014]2170号) 贵州省联合基金项目(黔科合LH字[2015]7025号)

关键词： Heusler合金 , 空位缺陷 , 反位缺陷

Effect of Vacancy and Antisite Defects in Quaternary Heusler Alloys CoFeTiSb

Keywords： Heusler alloy , vacancy defects , antisite defects

采用密度泛函理论研究了空位和反位缺陷效应对四元Heusler合金CoFeTiSb电子结构的影响.结果表明,VdCo、VdFe空位缺陷和Tisb反位缺陷具有负的形成能,能保持85％以上的自旋极化率,在CoFeTiSb合金工业制备过程中自发形成几率较大;VdTi、VdSo空位缺陷和FeCo反位缺陷虽然费米面处自旋极化率为100％,仍保持半金属性,但正的形成能表明在制备过程中它们出现的几率较小.此外,SbCo、SbFe、SbTi、CoTi、FeTi反位缺陷由于具有较大的形成能和半金属性破坏,自旋极化率不同程度降低.

参考文献

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