Dy3+掺杂Bi4Si3O12晶体生长及其热释光特性

无机材料学报, 2016, 31(10): 1068-1072. doi: 10.15541/jim20160221

Dy3+掺杂Bi4Si3O12晶体生长及其热释光特性

汪美玲 ^1, , 徐家跃 ^2, , 张彦 ^3, , 储耀卿 ^4, , 杨波波 ^5, , 申慧 ^6, , 田甜 ^7,

1.上海应用技术大学材料科学与工程学院,上海,201418

2.上海应用技术大学材料科学与工程学院,上海,201418

3.上海应用技术大学材料科学与工程学院,上海,201418

4.上海应用技术大学材料科学与工程学院,上海,201418

5.上海应用技术大学材料科学与工程学院,上海,201418

6.上海应用技术大学材料科学与工程学院,上海,201418

7.上海应用技术大学材料科学与工程学院,上海,201418

基金项目: 国家自然科学基金(51342007,51572175)National Natural Science Foundation of China(51342007,51572175)

关键词：硅酸铋 , 晶体生长 , Dy3+掺杂 , 热释光 , 光产额

Growth and Thermo-luminescence Properties of Dy∶ Bi4Si3O12 Crystals

Keywords： Bi4Si3O12 , crystal growth , Dy3+ doping , thermoluminescence , light yield

采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1 mol％、0.2mol％、0.3mol％、2mol％、3mo1％和4mol％的Bi4Si3O12(BSO)晶体.发现高浓度(2mol％以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为,晶体表面析出物完全消失,顶部呈现光滑结晶面;低浓度(低于0.3mol％)掺杂能够显著提高晶体的光输出,最高可达纯BSO的145％.晶体热释光谱测试结果表明:少量Dy3+掺杂虽然热释光峰略有增强,但有利于晶体光产额的提高;高浓度掺杂则容易引起晶格畸变,甚至产生新的缺陷,降低晶体的光产额.

参考文献

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