透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究

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基金项目: 辽宁省科技攻关项目

STUDY OF TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE ZnO : Al(ZAO) FILMS

用磁控反应溅射法制备了ZnO:Al(简称ZAO)薄膜,研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌,并对ZnO:Al薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了XPS和AES分析,同时也讨论了薄膜的光学电学性能.

[1]	Chen M. PhD thesis, Institute of Metal Research, The Chinese Academy of Sciences, Shenyang, 1999(陈猛.中国科学院金属研究所博士学位论文,沈阳,1999)
[2]	Hartnaged H L, Dawar A L, Jain A K, Jagadish C . Semiconducting Transparent Thin Films. London, 1995
[3]	Yang T L, Zhang D H, Ma J, Ma H L, Chen Y. Thin Solid Films, 1998; 326:60
[4]	Neumann G. In: Kaldis E ed., Current Topics in Material Science, Vol. 7, Amsterdam: North Holland, 1981:153
[5]	Heiland G, Mollwo E, Stochmann F, Frederick S C, Turnbull D. Solid State Phys Advances in Research and Applications,Vol.8, New York: Academic Press, 1959:191
[6]	Islam M N, Ghosh T B, Chopra K L, Acharya H N. Thin Solid Film, 1996; 280:20
[7]	Fan J C C, Goodenough J B. J Appl Phys, 1977; 48:3524
[8]	Jiang X C, Hu Y. Vacuum, 1995; 6(1): 1(姜燮昌,胡勇.真空,1995;6(1):1)
[9]	Sato H, Minami T, Takata S, Mouri T, Ogawa N . Thin Solid Films, 1992; 230:327

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