用工业型脉冲等离子体化学气相沉积(PCVD)设备,在高速钢(W18Cr4V)和钴基硬质合金SC30基材表面沉积了TiN薄膜,用扫描电镜(SEM)和连续加载压入仪研究了脉冲电压幅值对膜基结合行为的影响.结果表明:随脉冲电压在550-750 V之间逐渐增大,TiN晶粒增大,膜层脆性增加,沉积速率提高,但膜层结合力下降;在650 V以下膜基界面有一伪扩散层出现,超过650 V后伪扩散层消失,这是改善膜基结合行为的关键因素,讨论了伪扩散层形成的可能机制.
参考文献
| [1] | Leonhardt A L, Bartsch K, Endler I. Surf Coat Technol,1995; 76-77:225 |
| [2] | Yan P X, Hui P, Zhun W G, Tan H S. Surf Coat Technol,1998; 102:175 |
| [3] | Park J-R, Song Y K, Rie K T, Gebauer A. Surf Coat Technol, 1998; 98:1329 |
| [4] | Rie K T, Gebauer A, Woehle J. Surf Coat Technol, 1993; 60:385 |
| [5] | Mogensen K S, Mathiasen C, Eskildsen S S, Stori H, Bottiger J. Surf Coat Technol, 1998; 102:35 |
| [6] | Hiramatsu K, Ohnishi H, Takahama T, Yamanishi K. J Vac Sci Technol, 1996; A14:1037 |
| [7] | Mogensen K S, Thomsen N B, Eskildsen S S, Mathiasen C,Bottiger J. Surf Coat Technol, 1998; 99:140 |
| [8] | Xie F, Ma B T, He J W. Chin J Heat Treat Met, 1997; (1):20(谢飞,马宝钿,何家文.金属热处理学报,1997;(1):20) |
| [9] | Xu B S, Zhu S H. Theories and Technologies on Surface Engineering. Beijing: National Defence Industry Press, 1999:148, 222(徐滨士,朱绍华.表面工程的理论与技术.北京:国防工业出版社,1999:148,222) |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%