采用Ti/Cu/Ti多层中间层在1273 K温度下进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接,考察了保温时间对连接强度的影响,并对连接界面进行了SEM,EPMA和XRD分析.结果表明,通过Cu-Ti二元扩散促使液相与氮化硅发生界面反应,形成Si3N4/TiN/Ti5Si3+Ti5Si4+TiSi2/TiSi2+Cu3Ti2(Si)/Cu的梯度层.保温时间影响接头反应层厚度,从而影响接头的连接强度根据活性金属部分瞬间液相连接陶瓷的界面行为,建立了活性金属部分瞬间液相连接陶瓷的理论模型.该模型较好地解释了Ti/Cu/Ti和Ti/Ni/Ti连接氮化硅陶瓷的异同点和连接工艺参数的选择.
参考文献
| [1] | Lino Y.J Mater Sci Lett,1988; 7:981 |
| [2] | Chen Z,Zhao Q Z,Lou H Q,Zhou F,Li Z Z,Luo Q F.J Chin Ceram Soc,1998; 26(1):39(陈铮,赵起章,楼宏青,周飞,李志章,罗启富.硅酸盐学报,1998;26(1):39) |
| [3] | Ceccone G,Nicholas M G,Peteves S D,Tomsia A P,Dalgleish B J,Glaeser A M.Acta Mater,1996; 44(2):657 |
| [4] | Shalz M L,Dalgleish B J,Tomsia A P,Cannon R M,Glaeser A M.J Mater Sci,1994; 29:167 |
| [5] | Bao F H,Ren J L,Zhou Y H.J Chin Weld,1990; 11(4):200(包芳涵,任家烈,周运鸿.焊接学报,1990;11(4):200) |
| [6] | Zhou F.Ph D Dissertation,Zhejiang University,1998(周飞.浙江大学博士学位论文,1998) |
| [7] | Chen Z.Ph D Dissertation,Zhejiang University,1997(陈铮.浙江大学博士学位论文,1997) |
| [8] | Xu L Y,Zhuang Y Z.Acta Metall Sin,1988; B24:269(徐乐英,庄育智.金属学报,1988;B24:269) |
| [9] | Xian A P,Si Z Y.Acta Metall Sin,1988; B24:427(冼爱平,斯重遥.金属学报,1988;B24:427) |
| [10] | Poku I T,Dollar M,Massalski T B.Met Trans,1988; A19:794 |
| [11] | Zhou F,Li Z Z,Luo Q F.J Zhejiang Univ,2000 (in press)(周飞,李志章,罗启富.浙江大学学报,2000 已接收) |
| [12] | Tamai F,Naka M.J Weld Soc Jpn,1996; 14(2):327 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%