FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

金属学报, 2000, 36(5): 535-538. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2000.05.018

FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

刘德镇 ^1, , 萧淑琴 ^2, , 周少雄 ^3, , 刘国栋 ^4, , 张林 ^5, , 刘宜华 ^6,

1.山东工业大学材料科学与工程学院,济南,250061

2.山东大学物理系,济南,250100

3.钢铁研究总院非晶中心,北京,100081

4.钢铁研究总院非晶中心,北京,100081

5.山东大学物理系,济南,250100

6.山东大学物理系,济南,250100

基金项目: 教育部高等学校博士学科点专项科研基金(9704225) 国家自然科学基金(59981004)

关键词： FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜 , 巨磁阻抗效应 , 磁畴结构

DOMAIN STRUCTURE AND GIANT MAGNETOIMPEDANCE EFFECTS OF FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB FILMS

用高频溅射法制备了FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜,经350℃退火20 min后得到性能优良的巨磁阻抗材料.磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴,靠近边缘,磁畴方向转向横向.这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨磁阻抗效应的重要原因之一.磁阻抗测量表明,样品在13 MHz的频率下,分别获得了63%和77%的纵向和横向磁阻抗比.

参考文献

[1]	Mohri K, Panina L V, Uchiyama T, Bushida K, Noda M.IEEE Trans Magn, 1995; 31:1266
[2]	Panina L V, Mohri K, Uchiyama T, Noda M, Bushida K.IEEE Trans Magn, 1995; 31:1249
[3]	Sommer R L, Chien C L. Appl Phys Lett, 1995; 67:3346
[4]	Chen C, Luan K Z, Liu Y H, Mei L M, Guo H Q, Shen B G, Zhao J G. Phys Rev, 1996; B54:6092
[5]	Hika K, Panina L V, Mohri K. IEEE Trans Magn, 1996;32:4594
[6]	Antonov A, Gadetsky S, Granovsky A, D'yatckov A, Sedova M, Perov N, Usov N, Furmanova T, Lagar'kov A.Physica, 1997; A241:414
[7]	Beach R S, Berkowitz A E. J Appl Phys, 1994; 76:6209
[8]	Ku W J, Ge F D, Zhu J. J Appl Phys, 1997; 82:5050

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