利用包含置换原子和间隙原子的层错能势力学模型,计算了不同N含量下Fe-30Mn-6Si-xN形状记忆合金的层错能.计算结果表明,N对合金层错能的作用是先增加后降低(存在一个转折点p,对应N含量(质量分数)为wp):当少量的N固溶在合金中(wN＜wp)时,由于N和近邻原子间的交互作用,合金的层错能有所增加;在N含量比较高时(wN＞wp),N在层错区的偏聚对层错能的降低起了重要作用.N在合金中不同的间隙占位,将直接影响wp值:N位于八面体间隙位置时,wp约为0.35%;若N位于四面体间隙位置,wp仅为0.15%.
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