原位合成MoSi2-SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2的断裂韧性组织结构的TEM与HREM研究结果表明:原位合成MoSi2/SiC界面为直接的原子结合,无SiO2非晶层存在结合对该复合材料的KIc断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明,其室温增韧机制为MoSi2-SiC界面间较高的结合力、MoSi2基体晶粒细化及裂纹偏转和桥接.
参考文献
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[3] | Zhang L Q, Sun Z Q, Yang W Y, Zhang Y. Acta Metall Sin, 1998, 34:1205(张来启,孙祖庆,杨王玥,张跃金属学报,1998,34:1205) |
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