GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理-显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性

1.中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心,北京,100080

2.中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心,北京,100080

基金项目: 国家自然科学基金(50072043)

FIELD-EMISSION HIGH-RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPE IMAGE PROCESSING FOR GaN Possibility of Revealing Crystal Defects with Atomic Resolution in GaN Crystals

本文介绍了场发射高分辨电子显微像的图像处理原理,用300 kV场发射电子显微镜的参数模拟了GaN完整晶体和缺陷晶体结构模型的显微像.经过处理的显微像上能够分辨间距为0.112nm的Ga和N原子,并能显示N原子空位.

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