脉冲高能量密度等离子体表面改性AlN膜的形成和结构

金属学报, 2002, 38(6): 652-656. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2002.06.019

脉冲高能量密度等离子体表面改性AlN膜的形成和结构

吴杏芳 ^1, , 韦鲲 ^2, , 单小鸥 ^3, , 杨思泽 ^4,

1.北京科技大学材料物理系,北京,100083

2.北京科技大学材料物理系,北京,100083

3.北京科技大学材料物理系,北京,100083

4.中国科学院物理研究所,北京,100080

基金项目: 国家自然科学基金(59871060)

关键词：脉冲高能量密度等离子体 , 立方AlN , 六方AlN , 显微组织

FORMATION AND MICROSTRUCTURE OF AlN FILM PRODUCED IN PULSED HIGH ENERGY DENSITY PLASMA SURFACE MODIFICATION

利用脉冲高能量密度等离子体(PHEDP)表面改性技术,在45号钢、γ不锈钢等试样上获得AlN膜.采用XRD,XPS和TEM等方法研究了改性膜的组织结构.研究表明,改性膜是由10 nm尺寸的AlN相组成,AlN相结构随基体的结构而异,在具有面心立方结构的基体上,形成具有面心立方结构的c-AlN相,而在体心立方的基体上形成六方h-AlN相.从热力学角度,讨论了PHEDP表面改性中AlN形成的特性.

参考文献

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