利用配位多面体生长基元理论研究了自生TiCp/Ti复合材料中TiC的生长习性.TiC晶体的配位多面体生长基元为TiC6.生长基元进入{100}面时为4个棱边同时联结,生长速率最快,不易显露;进入{111}面时为共面联结,生长速率最慢,容易显露因此,TiC晶体的理想形态为以{111}面为显露面的八面体.TiC晶胚在熔体中生长时,受传热传质过程的影响,6个顶角所处的{100}方向生长速率加快,形态失稳,从{100}方向顶角部位生长出二次枝晶臂,最终形成棱面枝晶状TiC.如枝晶形成时低生长速度的晶面上形成大量的晶体缺陷,则它们的生长速度加快,棱面消失,成为光滑枝晶.
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