在高溅射功率900 W下用RF磁控溅射方法制备了厚为630-780 nYn的Fe Ti-N薄膜.结果表明:当膜成分(原子分数,%,下同)在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内,薄膜由α'和Ti2N沉淀组成,磁化强度4πMs超过纯铁,最高可达2.38 T;而矫顽力Hc下降为89 A/m,可以满足针对1.55 Gb/cm2高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.N原子进入α-Fe使α'具有高饱和磁化强度;Ti的加入,阻止α'→α+γ'的分解,稳定了强铁磁性相α',是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因.由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度HDc与晶粒度D有以下关系:HDc∝D6,晶粒度控制非常重要.N原子进入α-Fe点阵的八面体间隙,引起极大的畸变,使晶粒碎化.提高溅射功率也使晶粒度下降两者共同作用,能使晶粒度下降到约14 nm,使Hc下降.晶界是择优沉淀地点,在α'晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用,阻止晶界迁移,使纳米晶α'不能长大.薄膜的结构和Hc的稳定温度不低于520℃.
参考文献
[1] | Kim T K, Takahashi M. Appl Phys Lett, 1972; 20:492 |
[2] | Komuro M, Kozono Y, Hanazono M, Sugita Y. J Appl Phys, 1990; 67:5126 |
[3] | Sugita Y, Takahashi H, Komuro M, Mitsuoka K, Sakuma A. J Appl Phys, 1994; 76:6637 |
[4] | Sugita Y, Takahashi H, Komuro M, Igarashi M, Imura R,Kambe T. Appl Phys, 1996; 79:5576 |
[5] | Cadogan J M, Aust J. Phys, 1997; 50:1093 |
[6] | Metzger R M, Bao X H, Carbuciccchio M. J Appl Phys,1994; 76:6626 |
[7] | Coey J M D. J Appl Phys, 1994; 76:6632 |
[8] | Ishida S, Kitawatase K. J Magn Magn Mater, 1992; 104-107:1933 |
[9] | Ishida S, Kitawatase K, Fujii S, Asano S. J Phys, 1992; 4:765 |
[10] | Nakajima K, Okamoto S. Appl Phys Lett. 1990; 56:92 |
[11] | Morisako A, Matsumoto M. Maoe M. J Appl Phys, 1991;69:5619 |
[12] | JiangH, Wu Q L, TaoK, LiHD. JApplPhys. 1995; 78:3299 |
[13] | Yoshitake T, Ohkoshi M. IEEE Trans Magn, 1995; 31:3850 |
[14] | Zhou J P, Li D, Gu Y S, Chang X R, Zhao C S, Li F S,Qiao L J, Tian Z Z, Fang C D, Song Q S. IEEE Trans Magn, 2001; 37:3844 |
[15] | Zhou J P, Li D, Gu Y S, ChangX R, Zhao C S, Li F S,Qiao L J, Tian Z Z, Fang G D, Song Q S. J Magn Magn Mater, 2002; 238:L1 |
[16] | Peng D L, Sumiyama K, Suzuki K. J Alloys Compd, 1997;255:50 |
[17] | Narayan P B, Kim Y K. IEEE Trans Magn, 1994; 30:3921 |
[18] | Hamrin K, Johansson G, Fahlman A, Nordling C. J Phys Chem Solids, 1969; 30:1835 |
[19] | Herzer G. IEEE Trans Magn, 1990; 26:1397 |
[20] | Wang H Y, Jiang E Y, Wu P. J Magn Magn Mater, 1998;177-181:1285 |
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