利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察了循环变形饱和阶段Cu单晶样品中近表面区域的位错微结构.在样品边缘一些条带状或斑点状呈黑色的位错组织区,利用离散位错动力学方法模拟了该区的位错微观结构,并计算了与此位错微结构相对应的内应力分布.模拟和计算结果表明,黑色区是内应力出现最大值区,即应力集中区,它与驻留滑移带(PSB)中的不均匀变形有关,是疲劳裂纹萌生最可能的位置.模拟和计算结果很好地解释了这一现象.
参考文献
[1] | Suresh S. Fatigue of Materials. UK, Cambridge: Cambridge University Press, 1998:132 |
[2] | Miller K J, de Los Rios E R. Short Fatigue Crack. London: European Structural Integrity Society Publication,1992:55 |
[3] | Zhang X P, Wang C H, Chen W, Ye L, Mai Y W. Scr Mater, 2001, 44:2443 |
[4] | Lukas P, Kunz L. Mater Sci Eng, 2001, A 314:7 |
[5] | Forsyth P J E. Nature, 1953, 171:172 |
[6] | Katigirl K, Omura A, Koyanagi K, Awatani J, Shiraishi T, Kaneshiro H. Metall Trans, 1977, 8 A: 1769 |
[7] | Basinski Z S, Pascual R, Basinski S J. Acta Metall, 1983,31: 591 |
[8] | Hunsche A, Neumann P. Acta Metall, 1986, 34:207 |
[9] | Ma B T, Laird C. Acta Metall, 1989, 37:325 |
[10] | Antonopoulos J G, Brown L M, Winter A T. Philos Mag,1976, 34:549 |
[11] | Essmann U, Gosele U, Mughrabi H. Philos Mag, 1981, 44A: 405 |
[12] | Tanaka K, Mura T. J Appl Mech, 1981, 48:97 |
[13] | Sauzay M, Gilormini P. Fati Frac Eng Mater Struct, 2000,23:573 |
[14] | Repetto E A, Ortiz M. Acta Mater, 1997, 45:2577 |
[15] | Yang J H, Li Y, Li S X, Ma C X, Li G Y. Mater Sci Eng,2001, 299 A: 51 |
[16] | Yang J H, Li Y, Cai Z, Li S X, Ma C X, Han E H, Ke W.Mater Sci Eng, 2003, 345 A: 164 |
[17] | Li S X, Li Y, Li G Y, Yang J H. Philos Mag, 2002, 82A:867 |
[18] | Yang S H. Principle of Dislocation Theory in Crystals.2nd ed, Beijing: Science Press, 1998:81(杨顺华.晶体位错理论基础(第一卷).第2版,北京:科学出版社,1998:81) |
[19] | Mughrabi H. Mater Sci Eng, 2001, 309-310 A: 237 |
[20] | Holzwarth U, Essmann U. Appl Phys, 1993, 57 A: 131 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%