单晶硅压痕裂纹的氢致滞后扩展

金属学报, 2005, 41(2): 173-177. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2005.02.012

单晶硅压痕裂纹的氢致滞后扩展

赵显武 ^1, , 宿彦京 ^2, , 高克玮 ^3, , 乔利杰 ^4, , 褚武扬 ^5, , 许颖 ^6,

1.北京科技大学材料物理系,北京,100083

2.北京科技大学材料物理系,北京,100083

3.北京科技大学材料物理系,北京,100083

4.北京科技大学材料物理系,北京,100083

5.北京科技大学材料物理系,北京,100083

6.北京市太阳能研究所,北京,100083

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G19990650) 国家自然科学基金(50131160738)

关键词：单晶硅 , 应力腐蚀 , 氢致开裂 , 压痕裂纹

HYDROGEN-INDUCED DELAYED PROPAGATION OF INDENTATION CRACK IN SILICON SINGLE CRYSTAL

利用压痕裂纹恒载荷试样,研究了单晶硅在空气中应力腐蚀以及动态充氢时氢致滞后开裂的可能性;利用卸载的压痕裂纹试样研究了残余应力引起氢致滞后开裂的可能性.结果表明,单晶硅压痕裂纹恒载荷试样当KI=KIC时在空气中并不发生应力腐蚀.在H2SO4溶液中动态充氢,则能发生氢致滞后开裂,止裂时归一化门槛应力强度因子为KIH/KIC≈0.9.卸载压痕裂纹的残余应力在充氢过程中也能引起氢致滞后开裂,归一化门槛应力强度因子为KIH/KIC≈0.9.

参考文献

[1]	Bhaduri S B, Wang F Y. Fract Mech Ceram, 1983; 2:327
[2]	Connally J A, Brown S. Science, 1992; 256:1537
[3]	Fitzgerald A M, Iyer R S, Dauskardt R H, Kenny T W. J Mater Res, 2002; 17:683
[4]	Chen T J, Knapp W J. J Am Ceram Soc, 1980; 63:225
[5]	Wong B, Holbrook R J. J Electrochem Soc, 1987; 134:2254
[6]	Kahn H, Ballarini R, Bellante J J, Heuer A H. Science,2002; 298:1215
[7]	Zhang T Y, Haasen P. Philos Mag A, 1989; 60:15
[8]	Anstis G R, Chantikul P, Lawn B R, Marshall D B. J Am Ceram Soc, 1981; 64:533
[9]	Chantikul P, Anstis G R, Lawn B R, Marshall D B. J Am Ceram Soc, 1981; 64:539
[10]	Newman J C, Raju I S. Eng Fract Mech, 1981; 15:185
[11]	Pharr G M. Mater Sci Eng, 1998; A253:151
[12]	Hirth J P. Metall Trans A, 1980; 11:861
[13]	Ebrahimi F, Kalwani L. Mater Sci Eng, 1999; A268:116
[14]	Johnson N M, Punce F A, Street R A, Nemanich R J. Phy Rev B, 1987; 35:4166

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

单晶硅压痕裂纹的氢致滞后扩展

HYDROGEN-INDUCED DELAYED PROPAGATION OF INDENTATION CRACK IN SILICON SINGLE CRYSTAL

参考文献