低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

金属学报, 2007, 43(3): 264-268. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.008

低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

谢正生 ^1, , 吴惠桢 ^2, , 劳燕锋 ^3, , 刘成 ^4, , 曹萌 ^5,

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB314903)

关键词：低温金属键合 , 垂直腔面发射激光器 , 反射谱 , 光致荧光谱

LOW TEMPERATURE Au-In-Au METALLIC BONDING AND ITS APPLICATION IN THE FABRICATION OF VCSELs

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率.实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求.对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的.这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中.

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