Ni-Al-V合金L12相间有序畴界面的微观相场模拟

金属学报, 2007, 43(10): 1101-1106. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2007.10.017

Ni-Al-V合金L12相间有序畴界面的微观相场模拟

张明义 ^1, , 王永欣 ^2, , 陈铮 ^3, , 张静 ^4, , 赵彦 ^5, , 甄辉辉 ^6,

1.西北工业大学材料学院,西安,710072

2.西北工业大学材料学院,西安,710072

3.西北工业大学材料学院,西安,710072;西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

4.西北工业大学材料学院,西安,710072

5.西北工业大学材料学院,西安,710072

6.西北工业大学材料学院,西安,710072

基金项目: 陕西省自然科学基金(2003E106) 国家自然科学基金(50671084)

关键词： Ni-Al-V合金 , L12(Ni3Al)相 , 有序畴界 , 成分偏聚 , 界面迁移 , 微观相场

SIMULATION OF ORDERED DOMAIN INTERFACES FORMED BETWEEN L12 PHASES IN Ni-Al-V ALLOY USING MICROSCOPIC PHASE-FIELD MODEL

利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L12(Ni3Al)相间有序畴界面,对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究.结果表明:L12相间存在3种稳定的平移界面以及2种过渡界面;界面的迁移性与界面结构有关,一个L12相的(100)和另一个L12相的(200)对应且有两个Ni原子面的界面以及(100)和(100)对应且有两个Ni原子面的稳定界面可以迁移,迁移前后界面结构保持不变,迁移的过程中形成过渡界面;而(100)和(200)对应且有一个Ni原子面的稳定界面则不可迁移.合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,Al原子在所有界面处贫化,V原子在所有界面处偏聚,Ni原子在可迁移界面处贫化,而在不可迁移界面处偏聚,且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度不同.

参考文献

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