Cu的腐蚀与缓蚀的光电化学研究

金属学报, 2008, 44(11): 1360-1365. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2008.11.014

Cu的腐蚀与缓蚀的光电化学研究

徐群杰 ^1, , 朱律均 ^2, , 齐航 ^3, , 曹为民 ^4, , 周国定 ^5,

1.上海电力学院能源与环境工程学院,上海,200090

2.上海电力学院能源与环境工程学院,上海,200090;上海大学理学院化学系,上海,200444

3.上海电力学院能源与环境工程学院,上海,200090

4.上海大学理学院化学系,上海,200444

5.上海电力学院能源与环境工程学院,上海,200090

基金项目: 国家自然科学基金(20406009) 上海市科委科技攻关计划(062312045) 上海市重点学科建设项目(P1304)

关键词： Cu , 光电化学 , 腐蚀 , 缓蚀剂 , 聚天冬氨酸

PHOTOELECTROCHEMICAL STUDY OF THE CORROSION AND INHIBITION ON Cu

用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu2O膜为P型半导体.当Cu所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)时,Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但小会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl(0.5-15 g/L)时,Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀,Cl-掺杂使Cu2O膜部分转成n型;当溶液中存在大量NaCl(大于15 g/L)时,Cu2O膜完全被Cl-掺杂而转型成n型.缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用;当NaCl浓度为2 g/L时,PASP与溶液中的Cl-在Cu表面竞争吸附,明显抑制了Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O受到了保护仍为P型;在NaCl浓度为30 g/L时,PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转成n型,但n型性质变弱.对Cu2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.

参考文献

[1]	Xu Q J,Wang W,Zhou G D.J Mater Prot,2006; 39(7):51(徐群杰,王伟,周国定.材料保护,2006;39(7):51
[2]	Zhu X L,Lin L Y,Lei T Q.Acts Metall Sin,1997; 33:1256(朱小龙,林乐耘,雷廷权.金属学报,1997;33:1256)
[3]	Li J,Peter L M.J Electronanal Chem,1986; 199:1
[4]	Liu X Y,Zhou G D,Yang M Z.J Electroanal Chem,1993; 361:265
[5]	Zhou G D,Kamkin A N,Liao Q Q.Acts Physi-Chim Sin,2001; 17:614(周国定,Kamkin A N,廖强强.物理化学学报,2001;17:614)
[6]	Xu Q J,Wan Z Y,Yin R H.Acta Chim Sin,2007; 65:1981(徐群杰,万宗跃,印仁和.化学学报,2007;65:1981)
[7]	Xu Q J,Zhou G D,Lu Z,Tian Z Q,Lin C J.Acta Chim Sin,2001; 59:950(徐群杰,周国定,陆柱,田中群,林吕健,化学学报,2001;59:950)
[8]	Xu Q J,Zhou G D,Lu Z,Yang Y,Lin C J.Acta Chim Sin,2000; 58:1079(徐群杰,周围定,陆柱,杨勇,林昌健.化学学报,2000;58:1079)
[9]	Modestov A D,Zhou G.D,Oe H H.J Electroanal Chem,1994; 375:293
[10]	Li L,Peter L M.J Electronanal Chem,1985; 193:27
[11]	Ross R J,Low K C,Shannon J E.Mater Perform,1997; 36:53
[12]	Xu Q J,Zhou G D.Anti-Corros Methods Mater,2006; 53:207
[13]	Lalitha A,Ramesh S,Rajeswari S.Electrochim Acta,2005; 51:47
[14]	Babic R,Metikos-Hukovic M.Electrochim Acta,1999; 44:2413
[15]	Zhou G D,Modestov A D,Pan C Z.Acta Phys-Chim Sin,1995; 11:51(周国定,Modestov A D,潘传智.物理化学学报,1995;11:51)
[16]	Cheng Y F,Luo J I.Appl Surf Sci,2000; 167:113
[17]	Lin Y H,Du R G,Hu R G,Lin C J.Acts Phys-Chim Sin,2005; 21:740(林玉华,杜荣归,胡融刚,林昌健.物理化学学报,2005;21:740)
[18]	Morrison S R.Electrochemistry at Semiconductor and Oxidized Metal Electrodes.New York:Plenum Press,1980,Chapter 5:2
[19]	Wang J,Cao C N.J Chi Soc Corros Prot,1996; 16:15(王佳,曹楚南.中国腐蚀与防护学报,1996;16:15)
[20]	Cicileo G P,Rosales B M,Verela F E.Corros Sci,1999; 41:1359
[21]	Zhu Z L,Yuan L L,Gao J Y,Zhang R H,Li F T.Chi J Appl Chem,2004; 21:6(朱志良,袁莉莉,郜俊影,张荣华,李凤亭.应用化学,2004;21:6)

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