利用XRD及XRD极图技术表征了用激光剥离技术生长的VO2薄膜. 结果表明:在衬底温度为500℃,氧气偏压6.67Pa的条件下,在α-Al2O3(ll0)衬底上能实现VO2的二维外延生长. 薄膜的结构除了与沉积工艺有关外,还和衬底的取向密切相关. 在α-Al2O3(110)衬底上,定向生长的(100)VO2在Millar指数<5时,除了[010]以外,不存在其他晶格矢量与衬底相匹配,从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长. 电学特性的测试结果显示,在温度为65℃左右,VO2薄膜出现相变,薄膜的电阻率变化达4个数量级.
参考文献
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