C-H-N体系生长金刚石薄膜

无机材料学报, 1999, 14(6): 840-846. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.002

C-H-N体系生长金刚石薄膜

万永中 ^1, , 张志明 ^2, , 沈荷生 ^3, , 何贤昶 ^4, , 张卫 ^5, , 王季陶 ^6,

1.上海交通大学微电子研究所,上海200030

2.上海交通大学微电子研究所,上海200030

3.上海交通大学微电子研究所,上海200030

4.上海交通大学微电子研究所,上海200030

5.上海复旦大学电子工程系,上海200433

6.上海复旦大学电子工程系,上海200433

基金项目: 国家科技攻关项目(715-002-0010) 中国科学院资助项目(59682001)

关键词：金刚石 , 含氮气源 , 相图 , 化学气相淀积

Phase Diagrams in C-H-N System for Low Pressure CVD Diamond Growth

通过热力学分析从理论计算上给出了C-H-N体系中低压生长金刚石的三元相图.该相图中存在金刚石生长区.不同温度和压强下金刚石生长区几乎都位于CH4-N连线以下,并且随衬底温度的改变而有显著的变化.随着氮含量的增加,金刚石生长区向碳含量减少的方向移动.使用该相图对优化添加含氮气源生长金刚石的实验条件提供了理论依据.

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