利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度TC为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K~室温的温度范围内,材料都具有GMR效应,Tp附近具有GMR峰值效应.GMR效应与自旋极化子行为有关,而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关.另外,多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内,尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献.在Tp处,晶粒间自旋极化隧道效应被抑制,导致低场GMR效应的消失.
参考文献
[1] | Helmolt R von, Wecker J, et al. Phys. Rev. Lett., 1993, 71: 2331-2333 |
[2] | Chahara K, Ohno T, et al. Appl. Phys. Lett., 1993, 63: 1990-1992. |
[3] | Zener C. Phys. Rev., 1951, 82: 403-405; Anderson P W, Hasegawa H. Phys. Rev., 1955, 100: 675-681; Gennes P -G de, Phys. Rev., 1960, 118: 141-154. |
[4] | Zener C. Phys. Rev., 1951, 82: 403-405; Anderson P W, Hasegawa H. Phys. Rev., 1955, 100: 675-681; Gennes P -G de, Phys. Rev., 1960, 118: 141-154. |
[5] | Zener C. Phys. Rev., 1951, 82: 403-405; Anderson P W, Hasegawa H. Phys. Rev., 1955, 100: 675-681; Gennes P -G de, Phys. Rev., 1960, 118: 141-154. |
[6] | Searle C W, Wang S T. Can. J. Phys., 1970, 48: 2023-2031. |
[7] | Manoharan S Sundar, Vasanthacharya N Y, et al. J. Appl. Phys., 1994, 76: 3923-3925. |
[8] | Mahendiran R, Mahesh R, et al. J. Phys. D: Appl. Phys., 1995, 28: 1743-1745. |
[9] | Liu J Z, Chang I C, et al. Appl. Phys. Lett., 1995, 66: 3218-3220. |
[10] | Morrish A H, Evans B J, et al. Can. J. Phys., 1969, 47: 2691-2696. |
[11] | Goodenough J B. Phys. Rev., 1955, 100: 564-573. |
[12] | Ju H L, Gopalakrishnan J, et al. Phy. Rev., B, 1995, 51: 6143-6146. |
[13] | Gong G Q, Canedy C, et al. Appl. Phys. Lett., 1995, 67: 1783-1785. |
[14] | Schiffer P, Ramirez A P, et al. Phys. Rev. Lett., 1995, 75: 3336-3339. |
[15] | Mahesh R, Mahendiran R, et al. J. Solid. State. Chem., 1995, 114: 297-299. |
[16] | Gupta A, Gong G Q, et al, Phys. Rev., B, 1996, 54: R15629-15632. |
[17] | Hwang H Y, Cheong S -W, et al. Phys. Rev. Lett., 1996, 77: 2041-2044. |
[18] | Ju H L, Sohn Hyunchul. Solid. State. Commun., 1997, 102: 463-466. |
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