本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系. 在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol%,所有样品均在20～900℃的温度区间和3.8×10-4～2.6×10-1atm的氧分压范围被测试. 结果表明,所有样品均呈现p型半导体的导电特征,样品在不同温度下的R∝PO2-1/m关系中的m与镁的含量和温度有关. 根据X光衍射图和缺陷化学理论,实验结果得到适当的解释.
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