扫描探针显微镜研究弛豫铁电体电畴生长

无机材料学报, 1999, 14(6): 1000-1004. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.028

扫描探针显微镜研究弛豫铁电体电畴生长

刘希 ^1, , 周和平 ^2, , 张孝文 ^3, , 韩立 ^4, , 陈皓明 ^5,

1.清华大学材料科学与工程系,先进陶瓷与精细国家重点实验室,北京,100084

2.清华大学材料科学与工程系,先进陶瓷与精细国家重点实验室,北京,100084

3.清华大学材料科学与工程系,先进陶瓷与精细国家重点实验室,北京,100084

4.清华大学应用物理系,北京,100084

5.清华大学应用物理系,北京,100084

基金项目: 中国科学院资助项目(59572036)

关键词：扫描探针显微镜 , 电畴 , 驰豫铁电体

Scanning Probe Microscopy Study of the Domain Growth in Relaxor Ferroelectrics

本文研究了典型弛豫铁电陶瓷0.9PMN-0.1PT中的电畴生长过程. 用扫描探针显微镜的轻敲模式和抬举模式对驰豫铁电陶瓷的表面形貌和电场力像进行了观察. 结果表明, 在施加不同针尖电压(0.05、0.5、1V)的情况下, 能够诱导材料中纳米尺度极化微区通过沿<111>方向180反转, 从而形成亚微米尺度电畴.

参考文献

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