高纯原料的制备是制造高品质光纤最重要的环节,本文采用氯气氛下水平区熔法生长单晶的提纯方法对卤化银原料进行超提纯.区域熔融提纯后的卤化银原料红外吸收光谱测量显示在8004000cm-1范围内吸收随波长的增加而降低.经CO2激光量热计法测量提纯后的卤化银原料在10.6μm处的吸收系数为5×10-4cm-1,较提纯前降低两个数量级,制成的光纤传输损耗0.30.5dB/m.
参考文献
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