室温下在不锈钢基底上应用Ar+离子源辅助,准分子脉冲激光沉积了CeO2薄膜.研究结果表明:在合适的工艺条件下,直接在不锈钢基底上可以制备出c轴取向的CeO2薄膜,但这时的CeO2薄膜在其a-b平面内没有观察到织构的信息;进一步在相同的条件下,首先在不锈钢基底上制备一层YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia),再在YSZ/不锈钢上制备CeO2薄膜,实验结果显示出这时的CeO2薄膜不但是c轴取向,同时在其a-b平面内织构.CeO2(202)射线扫描图给出其全宽半峰值为20.
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