铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜

无机材料学报, 2001, 16(4): 688-692. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.019

铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜

饶瑞 ^1, , 徐重阳 ^2, , 孙国才 ^3, , 王长安 ^4, , 曾祥斌 ^5,

1.华中科技大学电子科学与技术系;中国地质大学材料科学与化学工程学院

2.华中科技大学电子科学与技术系,

3.华中科技大学物理系,

4.华中科技大学电子科学与技术系,

5.华中科技大学电子科学与技术系,

关键词：金属诱导晶化 , 低温 , 非晶硅薄膜 , 多晶硅薄膜

Preparation of Polycrystalline Silicon Films by Aluminium Induced Crystallization at Low Temperatures

为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点.本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法.在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜,并光刻形成铝膜图形,而后于氮气保护中退火.利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法,研究了Al诱导下非晶硅薄膜的晶化过程,结果表明,在560℃退火6h后,铝膜下的非晶硅已完全晶化,确定了所制备的是多晶硅薄膜.初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理.

参考文献

[1]	Minum A, Konishi N, Ono K, et al. IEEE Trans. Electron Devices., 1989, 36 (2): 351-358.
[2]	Wu I-W. Society for Information Display Proceeding (SID)., 1995. 19-22.
[3]	James S Im, Robert S Sposili. Mater. Res. Soc. Bull., 1996, 3: 39-48.
[4]	Kakkad R, Smith J, Lau W S, et al. J. Appl. Phys., 1989, 65 (5): 2069-2072.
[5]	Liu G, Fonash S J. Appl. Phys. Lett., 1989, 55 (7): 660-662.
[6]	Konno T J, Sinclair R. Mat. Sci. Eng., 1994, A179/A180: 426-432.
[7]	Haque M S, Naseem H A, Brown W D. J. Appl. Phys., 1994, 75 (8): 3928-3935.
[8]	Hayzelden C, Batstone J L. J. Appl. Phys., 1993, 73 (12): 8279-8289.
[9]	Lee S W, Jeon Y C, Joo S K. Appl. Phys. Lett., 1995, 65 (13): 1671-1673.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜

Preparation of Polycrystalline Silicon Films by Aluminium Induced Crystallization at Low Temperatures

参考文献