热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响

无机材料学报, 2001, 16(5): 1015-1018. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.041

热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响

邵乐喜 ^1, , 刘小平 ^2, , 谢二庆 ^3, , 贺德衍 ^4, , 陈光华 ^5,

1.湛江师范学院物理系

2.湛江师范学院物理系

3.兰州大学物理科学与技术学院

4.兰州大学物理科学与技术学院

5.北京工业大学材料科学与工程学院

关键词： AlN薄膜 , 场电子发射 , 热退火 , 滞后

Influence of Annealing on Electron Field Emission from AIN Films Prepared by RF Reactive Sputtering

以氮气为反应气体,用射频反应溅射方法制备了AlN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径,样品经700C退火后,发射电流的涨落从未退火前的135μA下降到20μA;并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性.文中认为,退火处理造成了薄膜结构的变化,引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变,进而影响了其发射特性.

参考文献

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