新型SOl-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究

无机材料学报, 2001, 16(6): 1156-1160. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.020

新型SOl-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究

夏冬林 ^1, , 刘梅冬 ^2, , 曾亦可 ^3, , 李军 ^4, , 黄焱球 ^5, , 刘少波 ^6,

1.华中科技大学电子科学与技术系,

2.华中科技大学电子科学与技术系,

3.华中科技大学电子科学与技术系,

4.华中科技大学电子科学与技术系,

5.华中科技大学电子科学与技术系,

6.华中科技大学电子科学与技术系,

关键词： PZT厚膜 , 新型sol-gel技术 , 介电性能 , 铁电性能

Electrical Properties of Thick Lead Zirconate Titanate Films Fabricated Using a New Sol-Gel Processing

采用新型sol-gel技术在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为2～60μm的PZT铁电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度是25μC/cm2,矫顽场是40kV/cm.

参考文献

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