掺杂对PMN铁电陶瓷烧结工艺和介电性能的影响

无机材料学报, 2002, 17(1): 66-72. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.012

掺杂对PMN铁电陶瓷烧结工艺和介电性能的影响

杨毅 ^1, , 冯楚德 ^2, , 姚文龙 ^3, , 喻佑华 ^4,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所功能陶瓷研究与发展工程中心,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所功能陶瓷研究与发展工程中心,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所功能陶瓷研究与发展工程中心,上海,200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所功能陶瓷研究与发展工程中心,上海,200050

关键词：铌镁酸铅 , 烧结工艺 , 掺杂 , 介电

Effects of Doping on Sintering Process and Dielectric Properties of PMN Ceramics

使用常用的两步法,研究了基体掺杂不同物质对PMN陶瓷的烧结工艺和介电性能的影响.经研究发现,当掺杂lmo1%Li2O时,可以实现950～1000°C左右的中温烧结,材料的常温介电常数和介电损耗分别为13500和0.55%,都优于纯PMN.当掺杂2mol%时,可以将烧结温度降到800～900°C的低温烧结范围,且介电损耗明显下降.分析结果表明,材料的显微结构良好,材料的致密化程度较高.另外,掺加Li2O和SrO可以分别稍微减小和增加材料的弥散相变程度.同时本文还研究了PMN陶瓷的微观结构和介电弛豫的情况.

参考文献

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