掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究

无机材料学报, 2002, 17(1): 131-138. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.022

掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究

郭玉忠 ^1, , 王剑华 ^2, , 黄瑞安 ^3, , 王贵青 ^4,

1.昆明理工大学新材料制备与加工省重点实验室,昆明,650093

2.昆明理工大学新材料制备与加工省重点实验室,昆明,650093

3.昆明理工大学新材料制备与加工省重点实验室,昆明,650093

4.昆明理工大学新材料制备与加工省重点实验室,昆明,650093

基金项目: 科技部科技攻关项目(96-119-04-01-05)

关键词： Sb掺杂SnO2薄膜 , 导电性测量 , 透光率与反射率

Electrical and Optical Properties of Transparent and Conductive Sb-Doped SnO2 Films

通过实验测量sol-gel工艺制备的Sb掺杂SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚,紫外-可见光区透射率、反射率等性质,详细研究了Sb掺杂SnO2薄膜电学与光学性能.实验发现,薄膜具有良好的透光性和较高导电性,膜内载流子浓度高达1020cm-3,电阻率～10-2Ω.cm,透光率高达90%,SnO2膜禁带宽度Eg≈3.7～3.80eV.

参考文献

[1]	Svane A, Antoncik J E. Phys. Chem. Solids, 1987, 48(2): 171-180.
[2]	Jarzebski Z M, Marton J P. J. Electrochem. Soc., 1976, 123 (9): 299-310c.
[3]	Frank G, Kauer E, Kostlin H. Thin Solid Films, 1981, 77: 107-117.
[4]	郭玉忠,黄瑞安,王剑华(GUO Yu-Zhong , et al).硅酸盐学报(Journal of the Chinese CeramicSociety) , 2001 , 29(2): 157-162.
[5]	郭玉忠,黄瑞安,王剑华(GUO Yu-Zhong,et al).无机材料学报(Journal of Inorganic Materials) ,2001, 16(3): 249-255.
[6]	Seeger K.半导体物理学,徐乐,钱建业译,人民教育出版社,1980.57-102,392-498.
[7]	Nagasawa M, Shionoya S, Phys. Lett., 1966, 22: 409-414.
[8]	Mott N F. Rev. Mod. Phys., 1968, 40(10): 677-683.

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