高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长

无机材料学报, 2002, 17(2): 210-214. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.02.003

高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长

杨培志 ^1, , 廖晶莹 ^2, , 沈炳孚 ^3, , 邵培发 ^4, , 倪海红 ^5, , 方全兴 ^6, , 殷之文 ^7,

1.中科院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海,200050

2.中科院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海,200050

3.中科院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海,200050

4.中科院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海,200050

5.中科院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海,200050

6.中科院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海,200050

7.中科院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室,上海,200050

基金项目: 中国博士后科学基金国家自然科学基金(59932002)

关键词：钨酸铅晶体 , 坩埚下降法 , 杂质分析 , 闪烁性能

Growth of High Quality PWO Single Crystal

用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为28mm×28mm×360mm,晶体的生长工艺参数为:籽晶取向[001],下降速度0.6～1.0mm/h,生长界面附近的温度梯度为20～30℃/cm,加工后的晶体成品在420nm附近的透过率＞60%;在360nm附近的透过率＞25%.晶体的光输出＞9p.e/MeV,光伤＜5%.

参考文献

[1]	Derenzo S E, et al. Trans. Nucl. Sci., 1990, 37: 203-205.
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[4]	廖晶莹,等(LIAO Jing-Ying,et al).无机材料学报(Journal ofInorganic Materials),1997,12(3):286-290.
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