在多工位炉上CeO2:Bi12SiO20单晶生长的研究(Ⅰ)--地面生长实验部分

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

Growth of CeO2:Bi12SiO20 Crystals in the Multi-Position Furnace

Bi12SiO20是一种优质的光折变晶体.但在地面生长掺Ce:BSO晶体时遇到的主要问题是分凝系数远远＜1,导致晶体组分不均匀.本文采用在空间生长掺Ce:BSO晶体的多工位炉进行地面晶体生长,测试了CeO2浓度分布和掺Ce:BSO晶体的透过率,以便同空间生长掺Ce:BSO晶体进行比较.

[1]	Peltier M, Micheron F. J. Appl. Phys., 1977, 48: 3683-3687.
[2]	LU Jiancheng, XU Liangying. Shanghai Ceramics, 1995, 3: 129-136.
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